Модуль транзисторный IGBT Semikron SKM 300GAR063D

Модуль транзисторный IGBT Semikron SKM 300GAR063D
Производитель SEMIKRON
Тип IGBT: Верхний чоппер
Номинальное напряжение 600В
Номинальный ток коллектора 300А
Корпус SEMITRANS3

Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами. IGBT транзисторы вытесняют тиристоры из высоковольтных схем преобразования частоты и позволяют создать импульсные источники вторичного электропитания с качественно лучшими характеристиками. IGBT транзисторы используются достаточно широко в инверторах для управления электродвигателями, в мощных системах бесперебойного питания с напряжениями свыше 1 кВ и токами в сотни ампер.