Модуль транзисторный IGBT Eupec FZ200R65KF1

Модуль транзисторный IGBT Eupec FZ200R65KF1 (биполярный транзистор с изолированным затвором)
Производитель Eupec
Тип IGBT Трёхфазный транзисторный мост
Напряжение коллектор-эмиттер 6300 В при t 25С
Ток коллектора номинальный 200 А при t 25С
Ток коллектора 400А
Мощность транзистора 3800 Вт  
Монтаж винтами

Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами. IGBT транзисторы вытесняют тиристоры из высоковольтных схем преобразования частоты и позволяют создать импульсные источники вторичного электропитания с качественно лучшими характеристиками. IGBT транзисторы используются достаточно широко в инверторах для управления электродвигателями, в мощных системах бесперебойного питания с напряжениями свыше 1 кВ и токами в сотни ампер.