Модуль транзисторный IGBT Semikron SKM 100GAR123D

SKM100GAR123D
Производитель SEMIKRON
Тип IGBT Верхний чоппер
Номинальное напряжение 1,2 кВ
Номинальный ток коллектора 75 А
Корпус SEMITRANS2

Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами. IGBT транзисторы вытесняют тиристоры из высоковольтных схем преобразования частоты и позволяют создать импульсные источники вторичного электропитания с качественно лучшими характеристиками. IGBT транзисторы используются достаточно широко в инверторах для управления электродвигателями, в мощных системах бесперебойного питания с напряжениями свыше 1 кВ и токами в сотни ампер.
Аналоги:
IXYS MDI100-12A3
EUPEC BSM75GAR120DN2